MOSFET ON Semiconductor FDP18N50 1 N csatornás 235 W TO-220-3
- Gyártó: WORK_IN_PROGRESS
- Microstore cikkszám:
- Garancia: 12 hónap
- Készlet információ:
Mai rendelés esetén
🏪 Átvétel üzletünkben (Vecsés): júl. 24. (péntek)
🚚 Házhozszállítás: júl. 27. (hétfő)
📦 FoxPost csomagautomata: júl. 28. (kedd)
-
2 960 Ft
-
Nettó: 2 331 Ft
💡 Jó tudni: üzletünkben azonnal a „Raktáron” jelzésű termékek vehetők át, a többit rendelésére szerezzük be: az „1–2” és „2–3 munkanap” jelzésűek hazai raktárból érkeznek, a „3–14 nap” jelzésűek pedig általában külföldi partnereinktől — ezért hosszabb a beszerzési idejük. Amint a termék átvehető, értesítjük. Személyes átvétel előtt kérjük, várja meg ezt az értesítést, hogy biztosan ne jöjjön hiába — ha pedig sürgős, keressen minket bizalommal, szívesen segítünk!
MOSFET
Műszaki adatok:
C(ISS): 2860 pF · Csatornák: 1 · Gyártó: ON Semiconductor · Gyártói kód (építőelemek): OnS · Gyártói szám: FDP18N50 · Ház típus (félvezető): TO-220-3 · I(d): 18 A · Kivitel (tranzisztor): N csatornás · Q(G): 60 nC · R(DS)(on): 265 mΩ · Referencia feszültség C(ISS): 25 V · Referencia feszültség Q(G): 10 V · Referencia feszültség R(DS)(on): 10 V · Referencia áram R(DS)(on): 9 A · Referencia áram max. U(GS)(th): 250 µA · RoHS konform: Igen · Sorozat (félvezető): UniFET™ · Szerelési mód: Átvezető lyuk · Teljesítmény (max.) P(TOT): 235 W · Tranzisztor jellemzők: Standard · Típus (kategória): MOSFET · U(BR DSS): 500 V · U(DSS): 500 V · U(GS)(th) max.: 5 V · Üzemi hőmérséklet (max.): +150 °C · Üzemi hőmérséklet (min.): -55 °C
Műszaki adatok:
C(ISS): 2860 pF · Csatornák: 1 · Gyártó: ON Semiconductor · Gyártói kód (építőelemek): OnS · Gyártói szám: FDP18N50 · Ház típus (félvezető): TO-220-3 · I(d): 18 A · Kivitel (tranzisztor): N csatornás · Q(G): 60 nC · R(DS)(on): 265 mΩ · Referencia feszültség C(ISS): 25 V · Referencia feszültség Q(G): 10 V · Referencia feszültség R(DS)(on): 10 V · Referencia áram R(DS)(on): 9 A · Referencia áram max. U(GS)(th): 250 µA · RoHS konform: Igen · Sorozat (félvezető): UniFET™ · Szerelési mód: Átvezető lyuk · Teljesítmény (max.) P(TOT): 235 W · Tranzisztor jellemzők: Standard · Típus (kategória): MOSFET · U(BR DSS): 500 V · U(DSS): 500 V · U(GS)(th) max.: 5 V · Üzemi hőmérséklet (max.): +150 °C · Üzemi hőmérséklet (min.): -55 °C
